IPD50N06S409ATMA2 vs IPD11DP10NMATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50N06S409ATMA2 द्वारा Infineon और IPD11DP10NMATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50N06S409ATMA2 | IPD11DP10NMATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS™ Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ at 1.7 mA) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 3.4 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 22 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 111 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at ID=18A, VGS=10V | — | 111 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 74 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 230 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 63 pF |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |