IPD50N06S409ATMA2 vs IPD11DP10NMATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N06S409ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD11DP10NMATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD50N06S409ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD11DP10NMATMA1 IPD11DP10NMATMA1 - 100V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD11DP10NMATMA1 - 100V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD11DP10NMATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50N06S409ATMA2 IPD11DP10NMATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS) OptiMOS™ Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 50 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 4 V (typ at 1.7 mA)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (Pd) at Tc 71 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free [DATA_NEEDED] —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 3.4 A
Continuous Drain Current (Tc) — 22 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 111 mΩ
On-Resistance RDS(on) at ID=18A, VGS=10V — 111 mΩ
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 74 nC
Input Capacitance (Ciss) — 230 pF
Output Capacitance (Coss) — 63 pF
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں