IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50N10S3L16ATMA2 द्वारा Infineon और IPD50N06S409ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50N10S3L16ATMA2 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS-T | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 100 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Delivery Form | Tape and Reel (T&R) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |