IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N06S409ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50N10S3L16ATMA2 tarafından Infineon ve IPD50N06S409ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50N10S3L16ATMA2 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS-T | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 100 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Delivery Form | Tape and Reel (T&R) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |