IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50P04P413ATMA2 द्वारा Infineon और IPD90P04P405ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50P04P413ATMA2 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Device Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS-P2 (Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | 58 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | 175 °C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | 2500 pcs | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |