IPD50P04P413ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50P04P413ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD90P04P405ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD50P04P413ATMA2 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity / Device Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS-P2 (Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | 58 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | 175 °C | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| پیکیج | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | 2500 pcs | — |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |