IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD600N25N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPD60R600PFD7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R600PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | Superjunction (CoolMOS) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Series | — | CoolMOS PFD7 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 6 A (Tc) |
| R_DS(on) Max | — | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 8.5 nC |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 8 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (P_D) | — | 31 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55°C to +150°C (Tj) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Reel Quantity | — | 2500 |