IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD600N25N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R600PFD7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R600PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Eşik Voltage | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | Superjunction (CoolMOS) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Series | — | CoolMOS PFD7 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 6 A (Tc) |
| R_DS(on) Max | — | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 8.5 nC |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 8 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (P_D) | — | 31 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C (Tj) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Reel Quantity | — | 2500 |