IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD600N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R600PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 - 250V 25A OptiMOS 3 N-MOSFET DPAK | Infineon

IPD600N25N3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD600N25N3GATMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 3 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 60 mOhm at VGS = 10 V —
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
ہیلوجن فری Yes, per IEC 61249-2-21 —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C (Tj)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Reel Quantity — 2500

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں