IPD60N10S412ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60N10S412ATMA1 द्वारा Infineon और BSC019N04LSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60N10S412ATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | — |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| हैलोजन फ्री | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |