IPD60N10S412ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60N10S412ATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60N10S412ATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| Klorürsüz | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |