IPD60R180P7ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R180P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD5N25S3430ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R180P7ATMA1 | IPD5N25S3430ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | OptiMOS (planar-trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | 72 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Shipping Package | Tape and Reel (ATMA1 suffix) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 20 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 430 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V typ / 4 V max |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 422 pF typical |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 41 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead Finish | — | Matte Tin (lead-free) |
| Configuration | — | Single, 3-pin (2+Tab) |