IPD60R180P7ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R180P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD5N25S3430ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R180P7ATMA1 | IPD5N25S3430ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | OptiMOS (planar-trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 180 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Total Power Dissipation (PD) at TC=25C | 72 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Shipping Package | Tape and Reel (ATMA1 suffix) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 20 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 430 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V typ / 4 V max |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 422 pF typical |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 41 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead Finish | — | Matte Tin (lead-free) |
| Configuration | — | Single, 3-pin (2+Tab) |