IPD60R180P7ATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R180P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD5N25S3430ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 - 600V 180mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R180P7ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD5N25S3430ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 - 250V 5A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD5N25S3430ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R180P7ATMA1 IPD5N25S3430ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET OptiMOS (planar-trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 250 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 18 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Total Power Dissipation (PD) at TC=25C 72 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
Shipping Package Tape and Reel (ATMA1 suffix) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 20 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 430 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V typ / 4 V max
Input Capacitance (Ciss) — 422 pF typical
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 41 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead Finish — Matte Tin (lead-free)
Configuration — Single, 3-pin (2+Tab)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں