IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R1K0PFD7SAUMA1 द्वारा Infineon और IPD60R600PFD7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPD60R600PFD7SAUMA1 - 600V 6A 600mΩ CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon
IPD60R600PFD7SAUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | IPD60R600PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET | Superjunction (CoolMOS) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 26 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1 Ω @ VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max gate-source) | — |
| Gate Charge (QG) | 6 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 230 pF @ 400 V | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full enhancement) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Series | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction | CoolMOS PFD7 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 6 A (Tc) |
| R_DS(on) Max | — | 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 8.5 nC |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 8 pF @ 400 V |
| Power Dissipation (P_D) | — | 31 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55°C to +150°C (Tj) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Reel Quantity | — | 2500 |