IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R1K0PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R600PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 4.7 A —
Power Dissipation (PD) at TC 26 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1 Ω @ VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max gate-source) —
Gate Charge (QG) 6 nC @ VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 230 pF @ 400 V —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full enhancement) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Series CoolMOS PFD7 consumer / superjunction CoolMOS PFD7
Manufacturer — Infineon Technologies
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C (Tj)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity — 2500

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں