IPD60R600P6ATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R600P6ATMA1 द्वारा Infineon और IPD80R600P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 - 600V 7.3A CoolMOS P6 MOSFET | Infineon

IPD60R600P6ATMA1 - 600V 7.3A CoolMOS P6 MOSFET | Infineon

IPD60R600P6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD60R600P6ATMA1 IPD80R600P7ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology CoolMOS P6 (superjunction N-channel MOSFET) CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (Vds) 600 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 7.3 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulse value] —
On-State Resistance Rds(on) 540 mOhm (typ, per Infineon product page) —
Power Dissipation (Pd, Tc) 63 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Body Diode Reverse Recovery Fast recovery (CoolMOS P6 family characteristic) —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40C to +150C —
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (per Infineon product page) —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Application Family PFC stages, hard/soft switching PWM, resonant converters, PC Silverbox, adapter, LCD/PDP TV, lighting, server, telecom, UPS —
Series CoolMOS P6 industrial grade —
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 22 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 C to +150 C
Polarity — N-Channel

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