IPD60R600P6ATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD60R600P6ATMA1 bằng Infineon và IPD80R600P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD60R600P6ATMA1 IPD60R600P6ATMA1 - 600V 7.3A CoolMOS P6 MOSFET | Infineon

IPD60R600P6ATMA1 - 600V 7.3A CoolMOS P6 MOSFET | Infineon

IPD60R600P6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD60R600P6ATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology CoolMOS P6 (superjunction N-channel MOSFET) CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (Vds) 600 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc) 7.3 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulse value] —
On-State Resistance Rds(on) 540 mOhm (typ, per Infineon product page) —
Power Dissipation (Pd, Tc) 63 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Body Diode Reverse Recovery Fast recovery (CoolMOS P6 family characteristic) —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -40C to +150C —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Application Family PFC stages, hard/soft switching PWM, resonant converters, PC Silverbox, adapter, LCD/PDP TV, lighting, server, telecom, UPS —
Series CoolMOS P6 industrial grade —
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 22 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C
Polarity — N-Channel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá