IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N06S2L65AATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N04S4L11ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS-T2 trench |
| पैकेज | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL स्तर | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 (260C peak reflow) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |