IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N06S2L65AATMA1 بواسطة Infineon و IPG20N04S4L11ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS-T2 trench |
| العلبة | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| مستوى MSL | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 (260C peak reflow) |
| حالة RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |