IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N06S2L65AATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | OptiMOS-T2 trench |
| Paket | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (peak reflow 260 C) | 1 (260C peak reflow) |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |