IPL60R105P7AUMA1 vs IGT65R025D2ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL60R105P7AUMA1 द्वारा Infineon और IGT65R025D2ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPL60R105P7AUMA1 | IGT65R025D2ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +150C (junction, typical) |
| पैकेज | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | CoolGaN Gen2 (G5) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 70 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 236 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 25 mΩ (typical, per MPN suffix) |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Output Charge (Qoss) | — | [DATA_NEEDED: Qoss typical value] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | Near-zero (GaN characteristic) |