IPL60R105P7AUMA1 vs IGT65R025D2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IGT65R025D2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 - 650V 70A GaN FET, PG-HSOF-8 | Infineon

IGT65R025D2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R105P7AUMA1 IGT65R025D2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET GaN-on-Si, 200 mm wafer, wide-bandgap
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +150C (junction, typical)
پیکیج PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-HSOF-8 (source-down, bottom-cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Lead-Free Yes —
Product Family — CoolGaN Gen2 (G5)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel GaN HEMT, enhancement-mode
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 70 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 236 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 25 mΩ (typical, per MPN suffix)
Gate Threshold (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss typical value]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near-zero (GaN characteristic)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں