IPLU300N04S41R1XTMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPLU300N04S41R1XTMA1 द्वारा Infineon और IAUC100N04S6N028ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPLU300N04S41R1XTMA1 | IAUC100N04S6N028ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPLU300N04S41R1XTMA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Technology | OptiMOS (Trench MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 300 A | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 300 W | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) | 1.15 mΩ | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | 151 nC | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) | 12,090 pF | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) | ±20 V | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 175 °C | — |
| Peak Reflow Temperature (AEC-Q) | 260 °C | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | Yes (Green Product) | — |
| Lead-Free | Yes (100% lead-free) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Packing | Tape & Reel (TR) | — |
| Series | — | OptiMOS 6 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 400 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 2.8 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 1.5 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 62 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |