IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN60R2K0PFD7SATMA1 द्वारा Infineon और IPN95R3K7P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN60R2K0PFD7SATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | CoolMOS PFD7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 3 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 6 W | — |
| RDS(on) typical @ VGS=10V | 2.0 Ohm | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 1.626 Ohm (per Infineon product page) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) | — |
| Technology | CoolMOS superjunction | Super-junction (CoolMOS P7) |
| पैकेज | PG-SOT223-3-1 (SOT-223) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Newark listing) | Compliant |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 2.0 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |