IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN60R2K0PFD7SATMA1 tarafından Infineon ve IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS PFD7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (Tc) 3 A —
Power Dissipation (Tc) 6 W —
RDS(on) typical @ VGS=10V 2.0 Ohm —
RDS(on) max @ VGS=10V 1.626 Ohm (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) —
Input Capacitance (Ciss) 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) —
Technology CoolMOS superjunction Super-junction (CoolMOS P7)
Paket PG-SOT223-3-1 (SOT-223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant (per Newark listing) Compliant
Series — CoolMOS P7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin