IPN60R2K0PFD7SATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPN60R2K0PFD7SATMA1 توسط Infineon و IPN95R3K7P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series CoolMOS PFD7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (Tc) 3 A —
Power Dissipation (Tc) 6 W —
RDS(on) typical @ VGS=10V 2.0 Ohm —
RDS(on) max @ VGS=10V 1.626 Ohm (per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) —
Input Capacitance (Ciss) 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) —
Technology CoolMOS superjunction Super-junction (CoolMOS P7)
بسته‌بندی PG-SOT223-3-1 (SOT-223) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant (per Newark listing) Compliant
Series — CoolMOS P7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت