IPN60R360P7SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN60R360P7SATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPN60R360P7SATMA1 BSC076N04NDATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 OptiMOS 3
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ 7.6 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (TJ) —
पैकेज PG-SOT223 (Surface Mount) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
पिन काउंट 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
पैकेज / केस — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

डेटाशीट और संसाधन

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