IPN60R360P7SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPN60R360P7SATMA1 bằng Infineon và BSC076N04NDATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPN60R360P7SATMA1 BSC076N04NDATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 OptiMOS 3
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ 7.6 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C (TJ) —
Hộp PG-SOT223 (Surface Mount) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
Đông trùng haogen Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
Số chân 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Hộp / Vỏ — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá