IPN60R360P7SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN60R360P7SATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN60R360P7SATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 OptiMOS 3
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ 7.6 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) —
Paket PG-SOT223 (Surface Mount) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
Klorürsüz Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
Pin Sayısı 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin