IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN80R1K2P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD80R1K4P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN80R1K2P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family / Series | CoolMOS P7 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 800 V | — |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | 4.5 A | — |
| Maximum RDS(on) | 1200 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation PD (Tc) | 6.8 W | — |
| Gate-Source Voltage VGSS | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | N-Channel Superjunction |
| पैकेज | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| ESD Protection | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| पावर डिसिपेशन (Ptot) | — | 32 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |