IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPN80R1K2P7ATMA1 bằng Infineon và IPD80R1K4P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPN80R1K2P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family / Series | CoolMOS P7 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 800 V | — |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | 4.5 A | — |
| Maximum RDS(on) | 1200 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation PD (Tc) | 6.8 W | — |
| Gate-Source Voltage VGSS | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | N-Channel Superjunction |
| Hộp | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| ESD Protection | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Tiêu hao điện năng (Ptot) | — | 32 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +150C |
| Số chân | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |