IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN80R1K2P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPN80R1K2P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family / Series | CoolMOS P7 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 800 V | — |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | 4.5 A | — |
| Maximum RDS(on) | 1200 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation PD (Tc) | 6.8 W | — |
| Gate-Source Voltage VGSS | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | N-Channel Superjunction |
| پیکیج | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| ESD Protection | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | — | 32 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |