IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN80R1K2P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPN80R1K2P7ATMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family / Series | CoolMOS P7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 800 V | — |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | 4.5 A | — |
| Maximum RDS(on) | 1200 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation PD (Tc) | 6.8 W | — |
| Gate-Source Voltage VGSS | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | N-Channel Superjunction |
| Paket | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| ESD Protection | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Güç Tüketimi (Ptot) | — | 32 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |