IPT067N20NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT067N20NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IQE020N04LM6CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPT067N20NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 6, TrenchFET-class
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Single N-channel Single N-Channel, source-down
Series — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 166 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: Qg value]

डेटाशीट और संसाधन

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