IPT067N20NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT067N20NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE020N04LM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT067N20NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 6, TrenchFET-class
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Single N-channel Single N-Channel, source-down
Series — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 166 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: Qg value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں