IPT067N20NM6ATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPT067N20NM6ATMA1 توسط Infineon و IQE020N04LM6CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 - 200V 137A OptiMOS 6 Power MOSFET | Infineon

IPT067N20NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPT067N20NM6ATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
بسته‌بندی PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate)
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 6, TrenchFET-class
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Single N-channel Single N-Channel, source-down
Series — OptiMOS 6
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 166 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: Qg value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت