IQDH88N06LM5ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH88N06LM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC050N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5
IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH88N06LM5ATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Drain Current (ID) Continuous at Ta | 42 A | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Tc | 447 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 0.86 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| पैकेज | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55C to +150C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |