IQDH88N06LM5ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQDH88N06LM5ATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Drain Current (ID) Continuous at Ta | 42 A | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Tc | 447 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 0.86 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| پیکیج | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55C to +150C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |