IQE220N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE220N15NM5ATMA1 द्वारा Infineon और ISC015N06NM5LF2ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE220N15NM5ATMA1 | ISC015N06NM5LF2ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | 217 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V (typ at 46 µA) | 3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 14.4 nC at 10 V | 90 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | 14 pF | 6.9 nF |
| Output Capacitance (Coss) | 340 pF | 1.3 nF |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | Single N-Channel | — |
| पैकेज | PG-TSON-8-5 (Source-Down) | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 275 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.55 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage Rating | — | ±20 V |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 1.3 nC |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 55 pF |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS | — | Compliant |