IQE220N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IQE220N15NM5ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan ISC015N06NM5LF2ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IQE220N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W 217 W
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) 3 V
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V 90 nC
Input Capacitance (Ciss) 14 pF 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) 340 pF 1.3 nF
Konfigurasi Output Single N-Channel —
Kemasan PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Status RoHS Compliant —
Aras MSL 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Suhu Hubungan Operasi — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga