IQE220N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE220N15NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE220N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W 217 W
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) 3 V
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V 90 nC
Input Capacitance (Ciss) 14 pF 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) 340 pF 1.3 nF
Çıkış Konfigürasyonu Single N-Channel —
Paket PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin