IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE220N15NM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IPTC054N15NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQE220N15NM5CGSCATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IPT family)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
पैकेज PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (top-side cooled)
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 17.5 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 143 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 250 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A — 5.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 58 nC
Forward Body Diode Voltage (VSD) — 0.83 V
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]

डेटाशीट और संसाधन

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