IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE220N15NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IPTC054N15NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE220N15NM5CGSCATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IPT family)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Paket PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (top-side cooled)
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 17.5 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 143 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 250 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A — 5.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 58 nC
Forward Body Diode Voltage (VSD) — 0.83 V
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin