IRF1010ESTRLPBF vs STB60NF06T4 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF1010ESTRLPBF द्वारा Infineon और STB60NF06T4 द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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STB60NF06T4 - 60V, 60A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STB60NF06T4 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF1010ESTRLPBF | STB60NF06T4 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | STMicroelectronics |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $0.80 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET planar | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 84 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 200 W | — |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Drive Voltage | 10 V (standard level) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| Qualification | JEDEC standard qualified | — |
| Structure | Planar cell (wide SOA) | — |
| Avalanche Testing | 100% avalanche energy tested | — |
| Sourcing | Multi-vendor, broad distribution availability | — |
| Pb-Free / RoHS | PBF (Pb-free) suffix | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 60 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 240 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 60 nC (typ) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2200 pF (typ) |
| Output Capacitance (Coss) | — | 350 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 120 pF (typ) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 300 mJ |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |