IRF1010ESTRLPBF vs STB60NF06T4 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRF1010ESTRLPBF disebabkan oleh Infineon dan STB60NF06T4 disebabkan oleh STMicroelectronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRF1010ESTRLPBF STB60NF06T4
Merek Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Operating Mode Enhancement —
Drive Voltage 10 V (standard level) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Kemasan D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 60 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 240 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Charge (Qg) — 60 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) — 2200 pF (typ)
Output Capacitance (Coss) — 350 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 120 pF (typ)
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
Gambaran Suhu Operasi — -55°C to +175°C
Status RoHS — Compliant
Boson Bebas — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga