IRF1010ESTRLPBF vs STB60NF06T4 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1010ESTRLPBF بذریعہ Infineon اور STB60NF06T4 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ فعال
STMicroelectronics
STB60NF06T4 STB60NF06T4 - 60V, 60A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB60NF06T4 - 60V, 60A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB60NF06T4 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF1010ESTRLPBF STB60NF06T4
برانڈ Infineon STMicroelectronics
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Operating Mode Enhancement —
Drive Voltage 10 V (standard level) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 60 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 240 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Charge (Qg) — 60 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) — 2200 pF (typ)
Output Capacitance (Coss) — 350 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 120 pF (typ)
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں