IRF1010ESTRLPBF vs STB60NF06T4 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1010ESTRLPBF tarafından Infineon ve STB60NF06T4 tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF1010ESTRLPBF STB60NF06T4
Marka Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,80
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET planar —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 84 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 200 W —
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V 12 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 86.6 nC —
Operating Mode Enhancement —
Drive Voltage 10 V (standard level) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Qualification JEDEC standard qualified —
Structure Planar cell (wide SOA) —
Avalanche Testing 100% avalanche energy tested —
Sourcing Multi-vendor, broad distribution availability —
Pb-Free / RoHS PBF (Pb-free) suffix —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 60 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 240 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Charge (Qg) — 60 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) — 2200 pF (typ)
Output Capacitance (Coss) — 350 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 120 pF (typ)
Avalanche Energy (EAS) — 300 mJ
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C
RoHS Durumu — Compliant
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin