IRF1010ESTRLPBF vs STB60NF06T4 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF1010ESTRLPBF bằng Infineon và STB60NF06T4 bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
STMicroelectronics
STB60NF06T4 - 60V, 60A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STB60NF06T4 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF1010ESTRLPBF | STB60NF06T4 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | STMicroelectronics |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET planar | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 84 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 200 W | — |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Drive Voltage | 10 V (standard level) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| Qualification | JEDEC standard qualified | — |
| Structure | Planar cell (wide SOA) | — |
| Avalanche Testing | 100% avalanche energy tested | — |
| Sourcing | Multi-vendor, broad distribution availability | — |
| Pb-Free / RoHS | PBF (Pb-free) suffix | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 60 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 240 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 60 nC (typ) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2200 pF (typ) |
| Output Capacitance (Coss) | — | 350 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 120 pF (typ) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 300 mJ |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55°C to +175°C |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Đông trùng haogen | — | Yes |