IRF3710STRLPBF vs IRF640NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF3710STRLPBF द्वारा Infineon और IRF640NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF3710STRLPBF | IRF640NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET / IR MOSFET (planar) | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max | 23 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.7 nC | 44.7 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25 C) | 200 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (Tape and Reel) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape & Reel Orientation | TRL (left) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 18 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.15 ohm |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Lead-Free (PbF) | — | Yes |